全球首家 南京江北新区产业技术研创园企业斩获金奖

近日，南京江北新区产业技术研创园企业江苏超芯星半导体有限公司在第50届日内瓦国际发明展上，凭借自主研发的碳化硅长晶技术从全球40多个国家及地区的1000多个参展项目中脱颖而出，斩获金奖！成为碳化硅行业全球首家获此殊荣的企业。

作为全球规模最大的发明类专门展览，日内瓦国际发明展以评选严格、标准专业著称，被列为“世界三大发明展”之首，每年吸引众多来自世界各地的顶尖科研团队和创新成果参展。

“这次我们的获奖技术直击碳化硅衬底制备的关键挑战，通过自主创新的工艺设计与方法，实现技术突破，攻克行业难题，重塑碳化硅技术标杆。”超芯星半导体创始人、CEO刘欣宇介绍，此次参展希望充分展示中国在第三代半导体领域的自主创新实力，让世界看到中国半导体行业在碳化硅这一关键赛道上的突破与进步。

第三代半导体材料被称为“未来电子产业基石”，指的是以碳化硅等为代表的宽禁带半导体材料。当前，全球半导体产业正迎来迭代升级的关键时刻，与前两代半导体相比，第三代半导体以其耐高温、耐高压以及承受大电流等多个方面的明显优势，在新能源汽车、光伏、轨道交通、智能电网等领域具有广阔的应用前景。

6年前，海归博士刘欣宇回国创办超芯星半导体。彼时，碳化硅衬底基本依赖进口，高质量衬底的生产几乎被欧美厂商垄断。他决定不依赖进口设备，在各环节上都力争形成自主知识产权，深耕碳化硅产业化之路。

在碳化硅长晶技术领域，目前主要有液相法、物理气相法（PVT ）和高温化学气相沉积法（HTCVD）三类。在刘欣宇眼里，HTCVD技术犹如一颗璀璨的新星，闪耀着颠覆性的光芒，“它具备连续性供料的先进特性，能够确保生产过程的稳定与高效；所产出晶体的纯度极高，极大地提升了碳化硅材料的性能与质量；同时，其生长速度之快也为大规模产业化应用铺就了坚实道路。”

落地南京后，超芯星研发团队不断攻克难关，先后突破了低应力、低缺陷晶体生长及低损耗晶片加工技术等多项关键技术难点，形成了一整套具有自主知识产权的工艺，覆盖设备、粉料、晶体生长、晶体加工及晶片检测全流程。渐渐地，一颗行业“新星”冉冉升起，“如今我们已经成为全世界‘唯三’、全国唯一掌握HTCVD创新技术的创业公司，也是国际少数几家能够批量供应碳化硅衬底片的企业之一。”

作为省内唯一一家覆盖全产业链的碳化硅材料公司，刘欣宇深感使命与责任重大，“南京是国家批准建设的六大第三代半导体创新高地之一，这些年我深切感受到随着产业链加速布局，这里的第三代半导体产业能级逐步提升。期待未来全市碳化硅全产业链协同发展，我们也将充分发挥链主企业作用，积极推动上下游合作，共同构建更完善的产业链生态，争取在江北新区打造世界的‘碳化硅谷’。”

研创宣 朱葛嫣然