研创园“芯片之城”建设热火朝天

本报讯 连日来，江北新区研创园“芯片之城”科创基地项目一期施工现场一片热火朝天。

项目总建筑面积165万平方米，目前一期低层独栋建筑主体结构已基本完工，计划于明年竣工交付。

作为芯片之城科创基地的产业先导区，一期项目以创新科技为主导产业方向，重点招引集成电路研发设计、人工智能、元宇宙、先进通信、数字经济等战略性新兴产业，打造体系完善、产城融合的第四代高科技产业新城。

据了解，该项目是江北新区打造长江经济带创新支点的重点项目，项目整体由芯片板块、通用高科技板块和人才公寓板块组成，分为三期建设，其中一期总建筑面积约43万平方米，地上建筑面积约26万平方米，地下建筑面积约17万平方米，总配套服务设施面积约3.8万平方米，机动车车位约3200个。 通讯员 研创轩